研究者
J-GLOBAL ID:201201057016680384
更新日: 2023年08月07日
石原 良一
イシハラ リョウイチ | Ishihara Ryoichi
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所属機関・部署:
デルフト工科大学(オランダ) 電子数理情報工学部
デルフト工科大学(オランダ) 電子数理情報工学部 について
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職名:
准教授
その他の所属(所属・部署名・職名) (2件):
北陸先端科学技術大学院大学
客員教授
東京工業大学
特任准教授
ホームページURL (2件):
http://homepage.tudelft.nl/37b8x/
,
http://homepage.tudelft.nl/37b8x/TUD/Top/Top.html
研究分野 (5件):
薄膜、表面界面物性
, ナノマイクロシステム
, ナノ材料科学
, 電子デバイス、電子機器
, 電気電子材料工学
研究キーワード (6件):
半導体物性
, イメージセンサー
, カーボンナノチューブ
, 三次元集積回路
, 電子デバイス
, 薄膜トランジスタ
MISC (30件):
Tao Chen, Ryoichi Ishihara, Kees Beenakker. Location controlled high performance single-grain Ge TFTs on glass substrate. SOLID-STATE ELECTRONICS. 2012. 69. 94-98
Jaber Derakhshandeh, Negin Golshani, Ryoichi Ishihara, Mohammad Reza Tajari Mofrad, Michael Robertson, Thomas Morrison, C. I. M. Beenakker. Monolithic 3-D Integration of SRAM and Image Sensor Using Two Layers of Single-Grain Silicon. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2011. 58. 11. 3954-3961
Tao Chen, Meng-Yue Wu, Ryoichi Ishihara, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hideo Hosono, C. I. M. Beenakker. Excimer laser crystallization of InGaZnO4 on SiO2 substrate. JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS. 2011. 22. 11. 1694-1696
Tao Chen, Meng-Yue Wu, Ryoichi Ishihara, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hideo Hosono, C. I. M. Beenakker. Solid-phase epitaxial growth of (111)-oriented Si film on InGaO3(ZnO)(5) buffer layer. JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS. 2011. 22. 8. 920-923
ZHANG Jin, ISHIHARA Ryoichi, TAGAGISHI Hideyuki, KAWAJIRI Ryo, SHIMODA Tatsuya, SHIMODA Tatsuya, BEENAKKER C. I. M. Single-Grain Si TFTs using Spin-Coated Liquid-Silicon. Tech Dig Int Electron Devices Meet. 2011. 2011. 339-342
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特許 (9件):
半導体装置及びその製造方法
半導体装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置、および電子機器
半導体装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器
半導体装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置および電子機器
半導体装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置及び電子機器
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学位 (1件):
工学博士 (東京工業大学)
所属学会 (3件):
MRS
, 応用物理学会
, IEEE
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