特許
J-GLOBAL ID：200903038011920732
雑音フィルターおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-061680
公開番号（公開出願番号）：特開平7-270729
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】 光信号の雑音を低減する雑音フィルターにおいて、キャリア寿命を短くするとともに、可飽和吸収特性の感度を上げる。【構成】 多重量子井戸層として、従来の成長温度である500°Cより低温の150°C〜400°Cで、ドーパントとしてp型元素、特にBeを添加して、成長させた多重量子井戸層を用い、さらに、素子を反射型とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に光の過飽和吸収特性を有する多重量子井戸層が形成されてなる雑音フィルターにおいて、前記多重量子井戸層のキャリア寿命が100ピコ秒以下に設定されていることを特徴とする雑音フィルター。
IPC (2件)：
G02F 1/015 505
, H01S 3/07
