特許

J-GLOBAL ID：200903038032204514

センサデバイス構造体の検査方法

発明者： 安池 則之 ,  牧野 滋 ,  山田 周吾
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (3件)： 板谷 康夫 ,  田口 勝美 ,  水田 愼一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-216494
公開番号（公開出願番号）：特開2007-033212
出願日： 2005年07月26日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：

【課題】シリコン基板にガラスを陽極接合した加速度センサの検査方法において、シリコン基板上の絶縁膜の膜厚を非破壊で簡単に評価できるようにする。【解決手段】シリコン基板1と、シリコン基板1の上下に陽極接合されるガラス3、2と、シリコン基板1上に形成された絶縁膜のシリコン酸化膜7及びシリコン窒化膜8と、シリコン基板1内に形成された片持梁構造のカンチレバー1aと、シリコン基板1の表面に形成されたピエゾ抵抗4とを備えた加速度センサ10において、シリコン窒化膜8上に予め検査用を兼ねて設けたアルミ電極6と、シリコン基板1に導通するアルミ電極5bを備え、このアルミ電極5bとアルミ電極6の測定端子6aと間に容量計11を接続して、シリコン基板1とアルミ電極6間の静電容量を測定する。この静電容量測定値から、シリコン基板1上の絶縁膜の膜厚を定量的に求めることができ、膜厚の良否を非破壊で容易に評価することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、このシリコン基板上に形成された絶縁膜及び導電パターンを備えたセンサデバイス構造体の検査方法において、 前記導電パターンと前記シリコン基板間の静電容量を測定し、この測定された静電容量値に基いて前記絶縁膜の膜厚の良否を評価することを特徴とするセンサデバイス構造体の検査方法。

IPC (5件)：

G01N 27/22 ,  G01P 21/00 ,  H01L 29/84 ,  G01P 15/12 ,  H01L 21/66

FI (5件)：

G01N27/22 C ,  G01P21/00 ,  H01L29/84 Z ,  G01P15/12 D ,  H01L21/66 Q

Fターム (32件)：

2G060AA09 ,  2G060AD04 ,  2G060AE40 ,  2G060AF02 ,  2G060AF10 ,  2G060AG10 ,  2G060DA02 ,  2G060EA07 ,  2G060EB09 ,  2G060KA14 ,  2G060KA16 ,  4M106AA02 ,  4M106AA07 ,  4M106AA13 ,  4M106AB17 ,  4M106CA11 ,  4M106CA48 ,  4M106DH04 ,  4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA21 ,  4M112CA23 ,  4M112CA27 ,  4M112CA33 ,  4M112CA34 ,  4M112DA17 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA11 ,  4M112FA20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 絶縁膜評価パターン及びその評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-347473   出願人：松下電子工業株式会社