半導体素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：植本雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-270899
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097424
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】ゲート材料へのドーパントにボロンを使用してP型ポリシリコンのゲート電極を形成する際に、素子チャネル領域へのボロンの拡散を抑え、素子の閾値電圧の変動を抑えることが可能である。【構成】ゲート絶縁膜11上に形成されるゲート電極12’の材料,すなわちゲート材料12が、これにボロン(B,またはBF2)を注入する際に、アモルファスシリコンとなっており、このアモルファスシリコンにドーパントとしてP型不純物のボロン(B,またはBF2)を注入し、ボロンの注入されたアモルファスシリコンを後工程の熱プロセスによって結晶化して、P型ポリシリコンのゲート電極12’を形成する。

請求項（抜粋）：

P型ポリシリコンをゲート電極とするMOS-FETの半導体素子を製造するに際し、ボロンを注入する際のゲート材料がアモルファスシリコンとなっており、該アモルファスシリコンにボロンを注入し、ボロンの注入されたアモルファスシリコンを後工程の熱プロセスによって結晶化し、P型ポリシリコンのゲート電極を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/62 , H01L 21/28 301 , H01L 29/784 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平4-000716
特開平4-113633
特開昭62-069666

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