特許
J-GLOBAL ID：200903038062872732

露光装置

発明者：
染矢 篤志

染矢 篤志 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-275906
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125576
出願日： 1996年10月18日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板の露光加工精度を維持しながらスループットを向上させ得る投影型露光装置を提供する。【解決手段】 ロットを構成する複数枚の半導体基板から、所定の頻度で多点測定用基板を設定する多点測定用ウエハ設定手段1と、サンプリング露光フィールド及び測定点数を設定するサンプリングフィールド設定手段2と、フィールド内多点/1点測定する多点/1点測定手段3、7と、多点測定結果に基づきフィールド内成分補正量を決定するフィールド内成分補正量決定手段4と、他基板を用いて以前に決定されたフィールド内成分補正量の基板あるいはおよびフィールドへの適用を判定する補正量適用判定手段6を備える。
請求項（抜粋）：
半導体装置製造工程で基板上に繰り返されるリソグラフィのショットに対応して該基板上に複数形成される露光フィールドの所定部分の測定に基づきアライメントがなされる露光装置であって、前記基板上からサンプリングされるn個(nは2以上の自然数)の露光フィールド中、m個(mは1≦m≦n-1を満たす自然数)についてフィールド内多点測定を行い、残る(n-m)個についてフィールド内1点測定を行い、かつ前記m個中の少なくとも1個の露光フィールドの前記フィールド内多点測定結果に基づき複数個の露光フィールドのフィールド内成分アライメントをなすことを特徴とする露光装置。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 9/00
FI (2件)：
H01L 21/30 525 W ,  G03F 9/00 H
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 位置合わせ方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-199725   出願人：株式会社ニコン
  • 位置合わせ方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-304525   出願人：株式会社ニコン
  • 特開昭62-084516

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