特許
J-GLOBAL ID：200903038067078074

半導体装置およびその製造方法

発明者：
石垣 隆士

石垣 隆士 について

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土屋 龍太

土屋 龍太 について

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森田 祐介

森田 祐介 について

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杉井 信之

杉井 信之 について

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木村 紳一郎

木村 紳一郎 について

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岩松 俊明

岩松 俊明 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-265037
公開番号（公開出願番号）：特開2009-094369
出願日： 2007年10月11日
公開日（公表日）： 2009年04月30日
要約：
【課題】半導体装置を高集積化および高性能化することのできる技術を提供する。【解決手段】SOI-MISFETは、SOI層3と、SOI層3上にゲート絶縁膜15を介して設けられたゲート電極35aと、ゲート電極35aの両側壁側のSOI層3上に、SOI層3からの高さがゲート電極35aよりも高く設けられ、ソース・ドレインを構成する積上げ層24とを有している。また、バルク-MISFETは、シリコン基板1上にゲート絶縁膜15より厚いゲート絶縁膜16を介して設けられたゲート電極35bと、ゲート電極35bの両側壁側の半導体基板1上に設けられたソース・ドレインを構成する積上げ層25とを有している。ここで、積上げ層24の厚さが、積上げ層25の厚さよりも厚く、ゲート電極35a、35bの全体、SOI-MISFETのソース・ドレインの一部、およびバルク-MISFETのソース・ドレインの一部がシリサイド化されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1領域と、前記第1領域の周辺の第2領域とを有する半導体基板と、 前記第1領域において前記半導体基板の主面に設けられた第1MISFETと、 前記第2領域において前記半導体基板の主面に設けられた前記第1MISFETより高耐圧の第2MISFETとを有する半導体装置であって、 前記第1MISFETは、 前記半導体基板に埋め込まれた絶縁層上の半導体層と、 前記半導体層上に第1ゲート絶縁膜を介して設けられた第1ゲート電極と、 前記第1ゲート電極の両側壁側の前記半導体層上に、前記半導体層からの高さが前記第1ゲート電極よりも高く設けられ、前記第1MISFETの第1ソース・ドレインを構成する第1積上げ層と、 前記第1積上げ層下の前記半導体層に、前記第1積上げ層とともに前記第1ソース・ドレインを構成する第1半導体領域とを有し、 前記第2MISFETは、 前記半導体基板上に前記第1ゲート絶縁膜より厚い第2ゲート絶縁膜を介して設けられた第2ゲート電極と、 前記第2ゲート電極の両側壁側の前記半導体基板上に設けられ、前記第2MISFETの第2ソース・ドレインを構成する第2積上げ層と、 前記第2積上げ層下の前記半導体基板に、前記第2積上げ層とともに前記第2ソース・ドレインを構成する第2半導体領域とを有し、 前記第1積上げ層の厚さが、前記第2積上げ層の厚さよりも厚く、 前記第1ゲート電極および前記第2ゲート電極の全体がシリサイド化されており、 前記第1ソース・ドレインおよび前記第2ソース・ドレインの一部がシリサイド化されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/08 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/205
FI (9件)：
H01L27/08 102B ,  H01L27/08 102D ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 616L ,  H01L29/78 616S ,  H01L29/78 617M ,  H01L21/28 301S ,  H01L21/205
Fターム (98件)：
4M104AA09 ,  4M104BB03 ,  4M104BB19 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD50 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F045AB02 ,  5F045CA05 ,  5F048AA07 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC04 ,  5F048BA01 ,  5F048BA09 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB16 ,  5F048BC01 ,  5F048BC06 ,  5F048BC18 ,  5F048BC19 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BE09 ,  5F048BF06 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BF18 ,  5F048BG06 ,  5F048BG13 ,  5F048DA18 ,  5F048DA19 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F110AA03 ,  5F110AA04 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE32 ,  5F110EE41 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF26 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110GG52 ,  5F110GG60 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK40 ,  5F110HM02 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN74 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (4件)
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