特許
J-GLOBAL ID：200903038080347653
磁気メモリ装置及びその書き込み方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西浦 ▲嗣▼晴
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-059953
公開番号（公開出願番号）：特開2007-242092
出願日： 2006年03月06日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：
【課題】複数の磁気記憶セルについて、それぞれ確実に書き込みを行うことができる磁気メモリ装置を提供することにある。【解決手段】 合成磁場発生用電流通電回路8から供給する高周波電流Iaの周波数を、第1の書き込み導体線6に直流電流Iwが流れているときに、複数の磁気記憶セル1ごとに定まる複数の最大強磁性共鳴周波数の中で最も高い最大強磁性共鳴周波数よりも高く設定する。そして第1の書き込み導体線6に直流電流Iwが流れておらず且つ第2の書き込み導体線7に高周波電流Iaが流れている1以上の交差点に対応して配置された1以上の磁気記憶セル1の磁化状態を反転させることがないように、第2の書き込み導体線7に流される高周波電流の周波数とその電流値に相関関係を持たせる。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
所定の間隔をあけて配置されて、それぞれ選択的に直流電流が流される複数本の第1の書き込み導体線と、
所定の間隔をあけて配置され且つ前記複数本の第1の書き込み導体線と交差するように配置されて、それぞれ選択的に高周波電流が流される複数本の第2の書き込み導体線と、
選択された1以上の前記第1の書き込み導体線に前記直流電流を流し、選択された1以上の前記第2の書き込み導体線に前記高周波電流を流して、前記第1及び第2の書き込み導体線の交差点に前記直流電流及び前記高周波電流に基いて合成磁場を発生する合成磁場発生用電流通電回路と、
前記複数の第1の書き込み導体線と前記複数の第2の書き込み導体線とが交差して作られる複数の交差点に1つずつ対応して配置された、情報を保持するための磁性層を備えた複数の磁気記憶セルとを備え、
1つの前記磁気記憶セルに対してその周囲にある他の複数の磁気記憶セルから漏洩した漏洩磁界の影響によって、前記1つの磁気記憶セルが最も大きな順方向磁化作用を受ける状態において、前記直流電流が流れているときにおける前記1つの磁気記憶セルの強磁性共鳴周波数を最大強磁性共鳴周波数とした場合に、前記高周波電流の周波数は、前記直流電流が流れているときに、前記複数の磁気記憶セルごとにそれぞれ定まる複数の前記最大強磁性共鳴周波数の中で最も高い前記最大強磁性共鳴周波数よりも高く設定されており、
前記高周波電流の前記周波数とその電流値は、前記直流電流が流れておらず且つ前記高周波電流が流れている1以上の前記交差点に対応して配置された1以上の前記磁気記憶セルの前記情報を保持させる磁性層のみを磁化反転させることがない相関関係を有していることを特徴とする磁気メモリ装置。
IPC (4件)：
G11C 11/15
, H01L 21/824
, H01L 27/105
, H01L 43/08
G11C11/15 140
, H01L27/10 447
, H01L43/08 Z
4M119AA05
, 4M119BB03
, 4M119CC03
, 4M119DD33
, 4M119EE03
, 4M119FF05
, 4M119FF15
, 4M119HH01
, 4M119HH04
, 4M119HH20
, 5F092AA03
, 5F092AB08
, 5F092AC08
, 5F092AC12
, 5F092AD03
, 5F092AD24
, 5F092DA04
, 5F092EA06
