特許

J-GLOBAL ID：200903074564587370

MRAM書き込み装置および方法

発明者： リゾ、ニコラス ディ. ,  エンゲル、ブラッドレー エヌ.
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 桑垣 衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-555419
公開番号（公開出願番号）：特表2004-526270
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：

MRAMセル(10)、およびセルをプログラミングする方法を開示した。セルは共振周波数での強磁性共振を有し、その強磁性共振のQが1以上である磁気材料からなる自由層(2)を含む。困難軸と容易軸との書き込み線は自由層と磁気接続する位置にある。クラッド層(62)は困難軸書き込み線を部分的に囲み、同一の共振周波数を有し、1以上の強磁性共振Qを有する。共振周波数を含む書き込み信号が困難軸書き込み線(20)に印加され、同時に、容易軸書き込み線(21)にも印加される。セルとクラッド層とのQが掛け合わされて、スイッチング磁場が増大し、即ち、同じ磁場を形成するのに必要な電流が削減される。

請求項（抜粋）：

対応共振周波数での強磁性共振を有する磁気材料からなる自由層を含むMRAMセルと、 該磁気材料からなる自由層と磁気接続する位置にある困難軸書き込み線と、 該磁気材料からなる自由層と磁気接続する位置にある容易軸書き込み線と、 対応共振周波数を含む書き込み信号を受信するために接続された、該困難軸書き込み線と容易軸書き込み線とのうちの1つと、 からなるMRAM書き込み装置。

IPC (3件)：

G11C11/15 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

FI (3件)：

G11C11/15 140 ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447

Fターム (4件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁気メモリおよびその方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-326133   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• MRAMメモリ装置およびこのようなメモリ装置におけるデジタル情報の読取/書込方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-551392   出願人：ブルカルト・ヒレブランズ