特許

J-GLOBAL ID：200903038090983680

半導体装置およびその製造方法

発明者： 牧田 直樹
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-120867
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308334
出願日： 2000年04月21日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 特性ばらつきが少なく、安定した特性を有する高性能な半導体装置を提供すると共に、大面積基板にも対応可能な高歩留りの安定した製造プロセスが可能な生産性の高い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 TFTの活性領域のチャネル領域となる結晶性ケイ素膜103bは、ガラス基板上に形成された非晶質ケイ素膜にマスク104を用いてその結晶成長を促進するNiを選択的に導入した後、加熱処理によって、ガラス基板の表面に沿って横方向に結晶成長させた複数の柱状結晶からなる。上記TFTのチャネル領域は、複数の異なる面方位からなる柱状結晶群により構成され、各TFT間の特性が均一化される。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に形成された結晶性ケイ素膜を活性領域として用いた素子を備えた半導体装置であって、上記結晶性ケイ素膜は、非晶質ケイ素膜にその結晶成長を促進する触媒元素を選択的に導入して、上記基板の絶縁表面に沿って横方向に結晶成長させた複数の柱状結晶からなり、上記素子の活性領域におけるチャネル領域は、異なる面方位からなる上記柱状結晶群により構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 C ,  H01L 29/78 627 Z

Fターム (67件)：

5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052BA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052HA06 ,  5F052JA01 ,  5F052JA04 ,  5F110AA28 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB10 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE34 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG52 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HM14 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP10 ,  5F110PP23 ,  5F110PP27 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP38 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-207177   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所