特許
J-GLOBAL ID：200903038091256099
薄膜トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-175136
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021461
出願日： 1992年07月02日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】ボトムゲート型の薄膜トランジスタにおいて、ソース,ドレイン領域をそれぞれのオフセット領域の長さを所定の値に設定し、リーク電流を低減する。【構成】CVDシリコン酸化膜103の上面に設けられたソース領域107a,およびドレイン領域108aの端部は、熱拡散により、CVDシリコン酸化膜103に設けられたゲート電極102aに達する溝の上端からそれぞれ所定の深さまで延在している。
請求項（抜粋）：
溝を有する絶縁体に埋め込まれ、かつ前記溝の底部にゲート電極を有し、ソース・ドレイン領域が前記ゲート電極に自己整合的に形成されたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
引用特許：
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