特許

J-GLOBAL ID：200903038104405447

III 族窒化物半導体素子およびその製造方法

発明者： 鈴木 健 ,  松井 俊之 ,  大井 明彦 ,  松山 秀昭 ,  上條 洋
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-293591
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121800
出願日： 1997年10月09日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】Ge基板とIII 族窒化物半導体膜の界面に空隙がなく、歪みの少ないGe基板上のIII 族窒化物半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】Ge基板上にエピタキシャル成長されたAlx Gay In1-x-y N (但し、0 ≦x,y ≦1 、 x+y≦1 )膜を含むIII 族窒化物半導体素子において、前記Ge基板1gと前記Alx Gay In1-x-y N 膜(2t〜7)との間にSi層またはInN 層からなる反応防止導電バッファ層2cを介在させる。

請求項（抜粋）：

Ge基板上にエピタキシャル成長されたAlx Gay In1-x-y N (但し、0 ≦x,y ≦1 、 x+y≦1 )膜を含むIII 族窒化物半導体素子において、前記Ge基板と前記Alx Gay In1-x-y N 膜との間にはSi層またはInN 層からなる反応防止導電バッファ層が介在していることを特徴とするIII 族窒化物半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-059153   出願人：株式会社東芝