特許
J-GLOBAL ID：200903017286068575
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-059153
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330677
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【課題】本発明は、ヘテロ界面における障壁を低減することにより、同界面でのキャリアの注入を容易にし、低電圧動作が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】第1の半導体からなる第1の半導体層101と、前記第1の半導体層上に形成され、前記第1の半導体が属する族とは異なる族の第2の半導体より成る第2の半導体層103と、前記第1の半導体層と、前記第2の半導体層との間に形成された第3の半導体層102とを具備し、前記第3の半導体層は、前記第1の半導体と同一の族の第3の半導体からなり、前記第1の半導体層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する層と、前記第2の半導体と同一の族の第4の半導体から成り、前記第2の半導体層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する層との内の1つであることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1の半導体からなる第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に形成され、前記第1の半導体が属する族とは異なる族の第2の半導体より成る第2の半導体層と、前記第1の半導体層と、前記第2の半導体層との間に形成された第3の半導体層とを具備し、前記第3の半導体層は、前記第1の半導体と同一の族の第3の半導体からなり、前記第1の半導体層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する層と、前記第2の半導体と同一の族の第4の半導体から成り、前記第2の半導体層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する層との内の1つであることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (5件)
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半導体レーザ素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-316266
出願人：株式会社日立製作所
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半導体発光装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-016258
出願人：株式会社東芝
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発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-232366
出願人：ソニー株式会社
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