特許

J-GLOBAL ID：200903038107298366

半導体装置の製造方法

発明者： 松田 宏生
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-337258
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181018
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の製造方法で、非反応性スパッタリング-反応性スパッタリングと連続スパッタ成膜する場合、反応性スパッタ膜の目的とした膜質と膜厚を得る。【解決手段】 非反応性スパッタリングから反応性スパッタリングへ変更する時に、反応性スパッタリング開始時に反応性ガスの流量を多く流す事により、反応性スパッタリングを完全に行う。次に目的の反応生成膜を行う反応ガス流量に変更する。以上より非反応性スパッタリングから反応性スパッタリングへ変更する時、未反応でスパッタされることを防ぎ、目的とする膜質と膜厚を得ることができる。

請求項（抜粋）：

不活性ガス中にて、非反応性スパッタリングを用いて、半導体基板上に非反応性スパッタ膜を成膜する第1の成膜行程と、前記非反応性スパッタリング終了後不活性ガスに反応性ガスを反応性スパッタリングが完全に行なわれる条件に達するよう混入してスパッタリングを行ない、反応性スパッタリングへとプロセスを切り換えるプロセス切換工程と、前記反応性ガスの流量を所定の値にした上で前記半導体基板上に、反応性スパッタリングを用いて、反応性スパッタ膜を成膜する第2の成膜工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203

FI (5件)：

H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 R ,  C23C 14/06 N ,  C23C 14/34 M ,  H01L 21/203 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 高融点金属膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-025323   出願人：松下電子工業株式会社
• 特開平4-216622
  
• 特開昭63-114965