特許
J-GLOBAL ID：200903038112499370

半導体装置

発明者：
小原 邦彦

小原 邦彦 について

, 
井上 登美男

井上 登美男 について

, 
池田 忠昭

池田 忠昭 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-075804
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280415
出願日： 2001年03月16日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子側および実装基板側の電極の接合強度を均一に保つことによって信頼性を向上させた半導体装置の提供。【解決手段】 サファイア基板11a上の半導体薄膜層11b,11cの表面にそれぞれn側電極、p側電極として同一の金属材料(Au)を用いてAu電極23,24を形成するとともに、実装基板2のp型半導体拡散層2aおよびn型半導体層2b上にそれぞれ一対のp側電極、n側電極として同一の金属材料(Au)を用いてAu電極21,22を形成し、これらの電極と同一の金属材料としてのAuを利用したAuバンプ電極25をつきあわせて超音波併用の熱圧着により実装する。
請求項（抜粋）：
フリップチップ型の半導体素子上に形成した一対の素子側電極を実装基板上に形成した一対の基板側電極にそれぞれバンプ接合した半導体装置において、前記一対の素子側電極の最表面層を同一の金属材料により形成するとともに前記一対の基板側電極の最表面層を同一の金属材料により形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01L 21/60 311 Q ,  H01L 33/00 N ,  H01L 21/92 603 A
Fターム (10件)：
5F041AA43 ,  5F041CA02 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA83 ,  5F041DA09 ,  5F041DA43 ,  5F041EE25 ,  5F044KK18 ,  5F044QQ03
引用特許：
審査官引用 (3件)

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