特許
J-GLOBAL ID：200903038113127921
高移動度トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-057069
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261052
出願日： 1998年03月09日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 高電圧印加が可能であるGaN系化合物半導体の高移動度トランジスタ(HEMT)を提供する。【解決手段】 半絶縁性基板1の上に、下部i型半導体層3,n型半導体層4,および上部i型半導体層5をこの順序で積層して成る積層構造Aが形成され、前記各半導体層はいずれもGaN系化合物半導体から成り、かつ、前記上部i型半導体層5の上には、絶縁層6を介してゲート電極Gが装荷され、また、前記上部i型半導体層5の上には、GaN系化合物半導体から成る導電性n型半導体層7a,7bを介してソース電極Sとドレイン電極Dがそれぞれ装荷されていて、上部i型半導体層5には、n型半導体層4との接合界面に電子の閉じ込め効果に優れる2次元電子ガス層5aが形成されている。。
請求項（抜粋）：
半絶縁性基板の上に、下部i型半導体層,n型半導体層,および上部i型半導体層をこの順序で積層して成る積層構造が形成され、前記各半導体層はいずれもGaN系化合物半導体から成り、かつ、前記上部i型半導体層の上には、絶縁層を介してゲート電極が装荷され、また、前記上部i型半導体層の上には、GaN系化合物半導体から成る導電性n型半導体層を介してソース電極とドレイン電極がそれぞれ装荷されていることを特徴とする高移動度トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
