特許
J-GLOBAL ID：200903048895732913

電界効果型トランジスタおよびその製造方法

発明者：
河合 弘治

河合 弘治 について

, 
今永 俊治

今永 俊治 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-225077
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223901
出願日： 1997年08月21日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 ゲート絶縁膜を用いることにより大きな入力振幅をとることができるGaN系の電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 基板1の上にバッファ層2を介してチャネル層3とゲート絶縁膜4が順次積層され、その上にゲート電極7が配設されている。ソース電極5とドレイン電極6は、ゲート電極7を挟むようにして開口4a,4bを介してチャネル層3と電気的に接続されている。チャネル層3はn型のGaNにより構成され、ゲート絶縁膜4はAlNにより構成されている。AlNは絶縁性に優れているのでショットキー障壁が大きくなり、大きな入力振幅をとることができる。また、エンハンスメントモードの場合においては反転層を形成することができ、Si-MOSと同じような動作をさせることができる。
請求項（抜粋）：
ガリウム(Ga),アルミニウム(Al),ホウ素(B)およびインジウム(In)からなる群のうちの少なくとも1種のIII族元素と窒素(N)とを含むIII族ナイトライド化合物半導体によりチャネル層を形成してなる電界効果型トランジスタであって、ゲート電極とチャネル層との間にゲート絶縁膜を備えると共に、このゲート絶縁膜をIII族元素としてアルミニウムを少なくとも含むIII族ナイトライド化合物半導体により構成したことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 H
引用特許：
審査官引用 (8件)
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