酸化物薄膜の製造方法及びそれに用いる化学蒸着装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-060331
公開番号（公開出願番号）：特開平8-259386
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年10月08日
要約：

【要約】【目的】酸化物超電導薄膜や強誘電体薄膜などの機能性酸化物薄膜を得るためのバッファ層として用いる食塩型、スピネル型又はウルツァイト型の結晶配向性の酸化物薄膜を、大面積に均一かつ高速で製造することができる酸化物薄膜の製造方法及びそれに用いる化学蒸着装置を提供する。【構成】反応チャンバー1内に、基板ホルダー4を回転自在に設ける。この基板ホルダー4に基板加熱用ヒータ2を内蔵し、その下面に基板3を保持する。基板ホルダー4を接地する。反応チャンバー1内に、基板ホルダー4に対向して電極5を設け、この電極5に高周波電源10を接続する。反応チャンバー1の側壁に排気手段6を設ける。基板ホルダー4と電極5との間に形成されるプラズマ放電領域7内に、基板ホルダー4に対して所定の傾斜角θを持たせた状態で原料ガス供給手段8を設ける。

請求項（抜粋）：

排気手段を有する反応チャンバー内に原料ガスを導入し、前記反応チャンバー内に設けた基板ホルダーと電極との間に電力を供給して前記原料ガスをプラズマ化し、前記基板ホルダーに保持した所定温度の基板上に酸化物薄膜を形成する酸化物薄膜の製造方法であって、前記基板ホルダーを回転させながら、前記基板ホルダーと電極との間に前記基板ホルダーに対して所定の傾斜角を持たせて配置した原料ガス供給手段によって金属錯体ガス、酸素ガス及びキャリアガスからなる原料ガスを導入するようにしたことを特徴とする酸化物薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 25/10 , C23C 16/40 , C23C 16/50 , C30B 25/16

FI (4件)：

C30B 25/10 , C23C 16/40 , C23C 16/50 , C30B 25/16

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-146522
特開昭58-209118
特開昭60-149776

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