特許

J-GLOBAL ID：200903038146513746

半導体装置

発明者： 吉 田 透
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-242478
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099286
出願日： 1993年09月29日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：

【要約】【目的】 半導体膜が薄く形成されても拡散層配線の抵抗の増大を可及的に抑えるとともに、コンタクト抵抗を低くすることを可能にする。【構成】 絶縁膜21 ,22 と、コンタクト形成予定領域下の絶縁膜の表面に形成される凹部と、この凹部に埋め込まれた導電体と、この導電体及び絶縁膜上に形成される半導体膜31 ,32 と、導電体上の半導体膜に形成される不純物領域41 ,42 と、導電体上の不純物領域上に層間絶縁膜81 ,82 を介して形成されるコンタクト部10と、を備えていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

絶縁膜と、コンタクト形成予定領域下の前記絶縁膜の表面に形成される凹部と、この凹部に埋め込まれた導電体と、この導電体及び前記絶縁膜上に形成される半導体膜と、前記導電体上の前記半導体膜に形成される不純物領域と、前記導電体上の前記不純物領域上に層間絶縁膜を介して形成されるコンタクト部と、を備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/00 301 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 27/08 102 E ,  H01L 29/78 311 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-095937
  
• 特開平2-076264
  
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-352266   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-095937
  
• 特開平2-076264