特許

J-GLOBAL ID：200903038162096683

面発光型半導体レーザ素子

発明者： カシミルス セティアグン ,  清水 均 ,  横内 則之
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-379703
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179308
出願日： 2001年12月13日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】【課題】 レーザ光出力の熱飽和特性が良好で、高温の動作環境でも高出力で安定し、かつしきい値電流密度が低くて動作する、発光波長1.2μmから1.3μm帯の面発光型半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本面発光型半導体レーザ素子40は、GaAs基板上に、順次、形成された下部反射鏡、活性層、上部反射鏡からなる積層構造を備え、反射鏡は相互に屈折率の異なる2層の化合物半導体層のペアとして構成され、かつ下部反射鏡には一部領域を選択的に酸化して酸化層を形成することにより電流経路を限定して電流狭窄構造を構成する特定半導体層が設けられた面発光型半導体レーザ素子において、下部反射鏡が、AlAs層を低屈折率層とするペアからなる部分と、AlAs層を低屈折率層とするペアからなる部分の上に形成され、AlAsより酸化速度の遅い材料層を低屈折率層とするペアからなる部分とから構成されている。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に下部反射鏡、活性層、上部反射鏡からなる積層構造を備え、該上部反射鏡及び下部反射鏡は相互に屈折率の異なる2層の化合物半導体層を有し、かつ活性層近傍には一部領域を選択的に酸化して形成した電流狭窄構造を有する面発光型半導体レーザ素子において、前記活性層はGaxIn1-xAs1-ySby(x≦0.7、0.003≦y≦0.008)井戸層を有する量子井戸構造からなり、前記下部反射鏡の基板側の低屈折率層はAlAsで構成され、活性層側の低屈折率層はAlAsよりも酸化速度の遅い半導体材料で構成されていることを特徴とする面発光型半導体レーザ素子。

Fターム (8件)：

5F073AA03 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073BA01 ,  5F073CA01 ,  5F073CB02 ,  5F073EA23 ,  5F073EA24

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 面発光型半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-367286   出願人：株式会社東芝