面発光型半導体レーザ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-367286
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196189
出願日： 1998年12月24日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】垂直共振器型の面発光型半導体レーザでは、活性領域に電流を均一に注入できてかつ、放熱性に優れた素子構造を同時に実現するのが困難である。【解決手段】活性領域と基板表側のDBR ミラーとの間に透明電極を設けるとともに、DBR ミラーに熱抵抗の小さい半導体多層膜を利用することにより、活性領域に均一に電流を注入できてかつ放熱性にも優れた構造とすることができる。これにより、低しきい値でかつ温度特性の優れた素子を得ることができる。

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上に形成された活性層と、この活性層上に形成された前記活性層で発振されたレーザ発振波長の光を透過する電極と、前記電極上に形成された半導体多層膜からなるDBR ミラーとを具備することを特徴とする面発光型半導体レーザ。

Fターム (12件)：

5F073AA53 , 5F073AA65 , 5F073AA74 , 5F073AA89 , 5F073AB17 , 5F073CA14 , 5F073CB02 , 5F073DA05 , 5F073DA14 , 5F073DA21 , 5F073DA25 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (4件)

面発光レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-293123 出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
面発光型半導体レーザ装置及びその製作方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-199859 出願人：古河電気工業株式会社, 技術研究組合新情報処理開発機構
特開平3-248395

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