特許

J-GLOBAL ID：200903038165176149

X線マスク構造体とその製造方法、及び該X線マスク構造体を用いたX線露光方法、及びX線露光装置と該X線マスク構造体を用いて作製された半導体デバイス及び半導体デバイスの製造方法

発明者： 千葉 啓子 ,  宮地 剛司
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-046219
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254552
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【構成】 X線吸収体と該吸収体を支持する支持膜、該支持膜を保持する保持枠、該保持枠を補強する補強体からなるX線マスク構造体の製造方法において、前記補強体がセラミックスからなり、セラミックスの酸化膜を介して前記保持枠と接合することを特徴とするX線マスク製造方法及びそれのよって得られたX線マスク構造体。【効果】 露光装置内において、チャッキング及び、搬送時に外力が加わった場合に歪を生じることなく、経時的にも温湿度にも安定な高度な位置精度を持ったX線マスク構造体及びその製造方法を提供することができた。更に、本発明のX線マスク構造体を用いるX線露光方法及びX線露光装置により被転写体にX線吸収体パターンを転写することによって、高精度X線露光方法及びX線露光装置を提供することができた。

請求項（抜粋）：

X線吸収体と該吸収体を支持する支持膜、該支持膜を保持する保持枠、該保持枠を補強する補強体からなるX線マスク構造体の製造方法において、前記補強体がセラミックスからなり、セラミックスの酸化膜を介して前記保持枠と接合することを特徴とするX線マスク製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16

引用特許：

審査官引用 (3件)

• X線転写用マスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-086109   出願人：新日本製鐵株式会社
• X線転写用マスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-086108   出願人：新日本製鐵株式会社
• 特開平2-168613