特許

J-GLOBAL ID：200903038168350280

ハイブリッド光集積回路及びその製造方法

発明者： 石川 卓哉 ,  奈良 一孝 ,  柳澤 雅弘 ,  菊池 英治 ,  三浦 和則
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社 ,  日本電信電話株式会社 ,  富士通株式会社
代理人 (1件)： 若林 広志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-191622
公開番号（公開出願番号）：特開平11-038249
出願日： 1997年07月16日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】 光導波路のコアと半導体光素子の活性層との高さを容易に合わせられるようにすること。【解決手段】 シリコン基板1の丘1aの上面と下部クラッド層2の上面が同一平面になるように研磨した後、研磨面上に高さ調整用クラッド層10とコア層3を形成し、コア層3をパターニングしてコア3aを形成する。その後、上部クラッド層4を形成し、シリコン基板の丘1aの上面を露出させた後、そこに半導体光素子6を搭載する。高さ調整用クラッド層10の厚さによってコア3aの高さを調整できるため、半導体光素子6の活性層7との高さを合わせることが容易になる。

請求項（抜粋）：

上面の一部に半導体光素子搭載用の丘(1a)を形成したシリコン基板(1)と、上面がシリコン基板の丘(1a)の上面と同一平面になるようにシリコン基板(1)上に形成された下部クラッド層(2)と、その下部クラッド層(2)上に高さ調整用クラッド層(10)を介して所望のパターンに形成されたコア(3a)と、コア(3a)を覆うように形成された上部クラッド層(4)と、前記シリコン基板の丘(1a)の上に搭載された半導体光素子(6)とを備えていることを特徴とするハイブリッド光集積回路。

IPC (2件)：

G02B 6/122 ,  G02B 6/13

FI (2件)：

G02B 6/12 B ,  G02B 6/12 M

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ハイブリッド光集積用実装基板及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-130224   出願人：日本電信電話株式会社