特許

J-GLOBAL ID：200903038194481147

水素ガスを用いた集積回路のプラズマ洗浄方法

発明者： ジョー・ダブリュー・ザオ ,  ズィアイ・ワン ,  ウィルバー・ジー・キャタベイ
出願人/特許権者： エルエスアイ ロジック コーポレーション
代理人 (1件)： 湯浅 恭三 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-307900
公開番号（公開出願番号）：特開平9-251989
出願日： 1996年11月19日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】 集積回路から特に集積回路上のアスペクト比の高いバイアなどの凹部から残存物質を除去すること。【解決手段】 基板(10)とその上に配置された層(12)から成る集積回路が入れられた反応箱の内部にアルゴン及び水素の流れが導かれ、活性化されプラズマが形成される。集積回路上の物質は、アスペクト比の高いバイア(14)の中の物質も含めて、活性化されたアルゴン及び水素の流れと反応し気体状の副生成物を生じることによって、除去される。物質の除去が行われた後で、アルゴン及び水素の流れとプラズマを中断させて、集積回路を反応箱から取り出す。

請求項（抜粋）：

集積回路から物質を除去する方法において、反応箱の内部に前記集積回路を置くステップと、前記反応箱の中にアルゴンの流れを導くステップと、前記反応箱の中に、アルゴンの前記流れよりも大量の水素の流れを導くステップと、アルゴン及び水素の前記流れを付勢してプラズマを形成するステップと、前記集積回路を前記プラズマの内部に保ち、よって、前記物質の少なくとも一部を前記集積回路から除去するのに十分な長さの時間の間、前記物質を気体状の副生成物に変化させるステップと、を含むことを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341

FI (2件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/304 341 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 表面清浄化法および薄膜形成法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-119726   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開平2-205321