特許

J-GLOBAL ID：200903038197032173

半導体装置およびその製造方法

発明者： 安東 幸司 ,  園田 琢二
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-092622
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291305
出願日： 1992年04月13日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 チャンネル層における2次元電子ガスの閉じ込め効果を大きくして高周波特性ならびに雑音特性が改善された半導体装置を得る。【構成】 GaAs基板上にInx Ga1-x Asチャンネル層とAly Ga1-yAs電子供給層とをこの順序でエピタキシャル成長させてなり、上記Inx Ga1-x Asチャンネル層における2次元電子ガスの閉じ込め効果が大きくなるように上記各層のエピタキシャル成長条件を設定したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上にエピタキシャル成長により順次に形成されたInx Ga1-x Asチャンネル層とAly Ga1-y As電子供給層とGaAsコンタクト層とを含み、上記Inx Ga1-x Asチャンネル層中におけるInの組成比xが基板側よりも電子供給層側において大であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-074764
  
• 特開平1-199475
  
• 化合物半導体結晶成長法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-170804   出願人：日本電気株式会社
• 特開平2-202029