特許

J-GLOBAL ID：200903038203349338

エチレンジアミン四酢酸またはそのアンモニウム塩である半導体プロセス残渣除去組成物および方法

発明者： リー,ウェイ ムン ,  チェン,ツェフェイ ジェシー
出願人/特許権者： イーケーシー テクノロジー,インコーポレイティド
代理人 (1件)： 片山 英二 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-542782
公開番号（公開出願番号）：特表2001-526836
出願日： 1998年03月17日
公開日（公表日）： 2001年12月18日
要約：

【要約】エチレンジアミン四酢酸またはその一、二、三もしくは四アンモニウム塩である残渣洗浄用組成物は、集積回路基板からフォトレジストおよび他の残渣を除去する。当該組成物の残りは、水、好ましくは高純度脱イオン水、または別の好適な極性溶媒でつくられているのが望ましい。チタン冶金を含む集積回路半導体ウェーハなどの基板からフォトレジストまたは他の残渣を除去するための方法は、フォトレジストまたは他の残渣を基板から除去するのに十分な時間および温度で、当該組成物と基板とを接触させることを含む。当該組成物および方法におけるエチレンジアミン四酢酸またはその一、二、三もしくは四アンモニウム塩の使用は、基板上のチタンまたは他の冶金、酸化物または窒化物の層を侵蝕することなく、優れた残渣除去を提供する。

請求項（抜粋）：

少なくとも約1〜50重量%の少なくとも1種のエチレンジアミン四酢酸またはその一、二、三もしくは四アンモニウム塩および水または極性有機溶媒を含んでなる、フォトレジストまたは他の高分子材料または残渣を基板から除去するための組成物。

IPC (7件)：

H01L 21/304 647 ,  B08B 3/08 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/50 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/308

FI (7件)：

H01L 21/304 647 A ,  B08B 3/08 Z ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/50 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/308 E

引用特許：

審査官引用 (1件)

• マイクロエレクトロニクス基板洗浄用のpH調整された、非イオン性表面活性剤含有アルカリ性クリーナー組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-115235   出願人：ジェイティ-ベ-カ-インコ-ポレイテッド