特許
J-GLOBAL ID：200903038214919527
極短波長紫外光リソグラフィー用気体幕を有するウエハー容器
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 興作 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-581507
公開番号（公開出願番号）：特表2002-529927
出願日： 1999年10月27日
公開日（公表日）： 2002年09月10日
要約：
【要約】極短波長紫外光リソグラフィー用気体幕を有するウエハー容器極短波長紫外光リソグラフィー(EUVL)デバイスは、不活性気体が通過するアパ-チャ(43)を有する壁(40)によって、装置上流の光学系から分離されたウエハー容器(41)を含む。極短波長紫外光リソグラフィーデバイスの容器内にハウジングされたウエハー(45)に近接した不活性気体の幕を保持することによって、不純物が装置内の光学系に到達することを効果的に阻止する。この不純物阻止は、反射放射源、例えばカメラなどとウエハーの間に固体フィルター窓が無い場合でも実現できる。不活性気体は、不純物気体を飛沫同伴法で除去する。
請求項（抜粋）：
ウエハー上にマスクパターンの光学画像を形成する装置であって、前記ウエハー上にパターン画像を形成するために、極短波長紫外光に露光されるウエハーをハウジングする第1容器と、不活性気体を透過させるアパ-チャを規定する仕切りによって前記第1容器と分離され、前記マスクにより反射された極短波長紫外光を受光し、前記アパ-チャを通して前記ウエハーに照射するために、回路製造のためのパターンを有するマスクと前記ウエハーとの間に配置された画像システムをハウジングする第2容器と、前記極短波長紫外光に露光された前記ウエハーより生じた不純物を取り除くために前記ウエハー表面上に不活性気体流を保持する手段とを具えることを特徴とする、マスクパターン光学画像形成装置。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
G03F 7/20 521
, H01L 21/30 503 G
, H01L 21/30 531 A
5F046GA03
, 5F046GA08
, 5F046GC03
, 5F046GC04
