特許
J-GLOBAL ID：200903038216090481

IZO膜のウエットエッチング方法

発明者：
井原 孝

井原 孝 について

, 
刑部 次功

刑部 次功 について


出願人/特許権者：
東亞合成株式会社

東亞合成株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-193722
公開番号（公開出願番号）：特開2006-019381
出願日： 2004年06月30日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：
【課題】 フラットパネルディスプレイ用薄膜トランジスター液晶表示装置等の透明電極に好適なIZO膜の画像の高精細化回路形成等に関し、エッチングによるアンダーカットを小さくし、かつ汚泥発生量の少なく簡素な方法でインジウム等の重金属を回収可能とするエッチング方法の提供。【解決手段】 エッチング液として濃度が50質量%以下の硫酸水溶液を用い、かつ使用する硫酸水溶液の濃度と温度で、0.3質量%と30°C、0.3質量%と60°C、50質量%と30°C、5質量%と60°Cの点で囲まれる範囲内であることを特徴とするIZO膜のウエットエッチング方法。【選択図】 なし。
請求項（抜粋）：
エッチング液として濃度が50質量%以下の硫酸水溶液を用いることを特徴とするIZO膜のウエットエッチング方法。
IPC (1件)：
H01L 21/308
FI (1件)：
H01L21/308 A
Fターム (3件)：
5F043AA21 ,  5F043BB14 ,  5F043GG04
引用特許：
出願人引用 (4件)
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