液晶表示装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：東平正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-066371
公開番号（公開出願番号）：特開平11-264995
出願日： 1998年03月17日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：

【要約】【課題】液晶表示装置の製造において、画素電極パターン形成時のエッチング溶液によるAlソース・ドレイン電極パターンの溶出を防止する方法を提供する。【解決手段】透明な基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、第1の半導体層と、第2の半導体層と、ソース・ドレイン電極と、画素電極とがこの順序に積層されてなる液晶表示装置の製造方法において、透明な基板上1に、ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、第1及び第2の半導体層4、6を形成後、該半導体層の上のアルミニウムを主体とする金属でソース・ドレイン電極7、8を形成し、次いで、酸化インジウムと酸化亜鉛を主成分とする非晶質導電性酸化物からなる透明導電膜9を形成し、該透明導電膜を蓚酸水溶液でエッチング液してパターン化する。【図1】

請求項（抜粋）：

透明な基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、第1の半導体層と、チャンネル保護層と、第2の半導体層と、ソース・ドレイン電極と、画素電極とがこの順序に積層されてなる液晶表示装置の製造方法において、透明な基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、第1の半導体膜、チャンネル保護層とを形成後、第2の半導体膜、該半導体層の上のアルミニウムを主体とする金属膜を設けた後、エッチングによりソース・ドレイン電極、第1及び第2の半導体層を形成し、次いで、酸化インジウムと酸化亜鉛を主成分とする非晶質導電性酸化物からなる透明導電膜を形成し、さらに該透明導電膜を、濃度が2.5〜30重量%の蓚酸水溶液であるエッチング液でパターン化して画素電極を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

IPC (4件)：

G02F 1/1343 , G02F 1/136 500 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

G02F 1/1343 , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 612 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-304912 出願人：富士通株式会社
導電性材料およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-315086 出願人：出光興産株式会社
特開平4-048631

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