特許
J-GLOBAL ID：200903038219009243
窒化硅素(Si3N4)ナノロッドとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-021044
公開番号（公開出願番号）：特開2004-231456
出願日： 2003年01月29日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：
【課題】実用化に適用できる性能を有し、安価で簡便にしかも大量に合成可能な窒化硅素(Si3N4)ナノロッドと、その製造方法を提供する。【解決手段】還元剤の非晶質活性化炭素(AAC)粉末を用い、酸化珪素(SiO)粉末を窒素ガス環境下に1350°C〜1400°Cの温度に加熱し、直径20〜80nm、長さ1〜10μmの窒化硅素(Si3N4)ナノロッドとする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
直径が20〜80nmで長さが1〜10ミクロンであることを特徴とする窒化硅素(Si3N4)ナノロッド。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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