特許

J-GLOBAL ID：200903038219582709

半導体装置

発明者： 中島 充雄 ,  鈴木 光明 ,  上村 孝明 ,  川久 慶人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-042978
公開番号（公開出願番号）：特開平7-092500
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】コプラナ型TFTおよび逆スタガ型TFTのゲート絶縁膜の膜厚を最適なものにできる構造の液晶表示装置を提供すること。【構成】画素部の逆スタガ型TFTと駆動部のコプラナ型TFTとが同一の絶縁性基板1上に形成され、コプラナ型TFTのゲート絶縁膜3aと逆スタガ型TFTの下部絶縁膜3bとが同一の第1の絶縁膜3で形成され、且つコプラナ型TFTのゲート電極4aと逆スタガ型TFTのゲート電極4bとが同一の導電膜で形成され、且つコプラナ型TFTの層間絶縁膜5aと逆スタガ型TFTのゲート絶縁膜5bとが同一の第2の絶縁膜5で形成されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に設けられた第1種の薄膜トランジスタと、基板上に設けられた第2種の薄膜トランジスタとを具備してなり、前記第1種の薄膜トランジスタの下部には下部絶縁膜が設けられ、この下部絶縁膜と前記第2種の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜とが、前記基板上に形成された同一の第1の絶縁膜からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-073037   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-033409   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開平3-085529
  
• 特開昭62-073659