特許
J-GLOBAL ID：200903038234800615
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
村山 光威
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-330915
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156415
出願日： 1998年11月20日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：
【要約】【課題】 アンチヒューズ開口の際のドライエッチングによるアンチヒューズ膜の表面酸化層のようなイオンダメージ層を除去し、ばらつきの少ないプログラム電圧を実現する。【解決手段】 半導体基板11上に下部電極13、アンチヒューズ膜14を構成するシリコンナイトライド膜141とアモルファスシリコン膜142を堆積し、下部電極13およびアンチヒューズ膜14を覆う絶縁膜16を形成する。開口を有するレジスト17を通して絶縁膜16をドライエッチングし、コンタクトホール18を形成した後、レジスト17を酸素プラズマで除去する。ここでコンタクトホール形成時のドライエッチングとレジスト除去時の酸素プラズマのパワーを適当に調節することによって、アモルファスシリコン膜142に生ずる表面酸化層19の厚さを約3nm以下にする。これによってアンチヒューズ膜を破壊する時の絶縁耐圧のばらつきが改善される。
請求項（抜粋）：
基板上に第1の導電層、絶縁層、および半導体層が順次形成され、さらに前記半導体層上に第2の導電層が形成された構造を有する半導体装置において、前記半導体層の表面酸化層の厚さが約3nm以下であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/82 F
, H01L 21/90 B
5F033JJ05
, 5F033PP03
, 5F033PP12
, 5F033QQ09
, 5F033QQ11
, 5F033QQ37
, 5F033VV11
, 5F033WW02
, 5F064AA08
, 5F064FF28
, 5F064FF29
, 5F064FF46
, 5F064FF52
