特許

J-GLOBAL ID：200903038245811228

電力用ショットキバリアダイオード

発明者： 奥村 三郎 ,  土江 康夫
出願人/特許権者： 株式会社三社電機製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-148535
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321880
出願日： 1997年05月22日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 設計どおりの耐圧を得るとともに,順電圧降下を低くできる電力用ショットキバリアダイオードを提供する。【解決手段】 N型半導体基板2の一方の表面の一部に,P型半導体層4のガードリングが形成され,このガードリングの外側周端部にシリコン酸化膜6を有し,一方の表面にショットキバリア金属層10を形成する電力用ショットキバリアダイオードにおいて,上記シリコン酸化膜6の内側に接して,内側にショットキバリア金属層10が形成されたものである。

請求項（抜粋）：

N型半導体基板の一方の表面の一部にP型半導体層のガードリングが形成され,上記ガードリングの外側の表面の周端部に酸化膜を有し,上記一方の表面にショットキバリア金属層を有する電力用ショットキバリアダイオードにおいて,上記酸化膜内側端に接して内側に上記ショットキバリア金属層が形成されたことを特徴とする電力用ショットキバリアダイオード。

FI (2件)：

H01L 29/48 G ,  H01L 29/48 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭58-107684
  
• 特開昭54-080688
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-212526   出願人：サンケン電気株式会社
• 特開昭63-094674