特許
J-GLOBAL ID：200903038279224283
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-264420
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122064
出願日： 1993年10月22日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：
【要約】【目的】 リフレッシュ用電源が大容量のものとならず、また電源の取扱いが容易である半導体装置を提供する。【構成】 カレントミラー形リフレッシュタイマ回路11の電流バイアス回路部12を構成する抵抗要素R1 (抵抗素子R11)を温度依存性を有するものとし、リフレッシュ周期Caがダイナミックメモリ素子の温度Tに応じた電荷保持時間Xの変化に対応して変化するものとしてある。このため、ダイナミックメモリ素子を備えた半導体装置がメモリ動作を行っている温度Ta1 でのダイナミックメモリ素子の電荷保持時間Xa1 に対応した適正なリフレッシュ周期Ca1 になり、リフレッシュの頻度が少なくなり、リフレッシュ動作で消費する電流が少なくなる。
請求項（抜粋）：
キャパシタとトランジスタで形成されたダイナミックメモリ素子と、このダイナミックメモリ素子のリフレッシュを行うリフレッシュタイマ回路とを備えた半導体装置において、前記リフレッシュタイマ回路のリフレッシュ周期が、前記ダイナミックメモリ素子の温度に応じた電荷保持時間の変化に対応して変化するものであることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
G11C 11/406
, H01L 21/8242
, H01L 27/108
G11C 11/34 363 L
, H01L 27/10 325 U
