特許

J-GLOBAL ID：200903038292909368

光導波路デバイス及びその製造方法

発明者： 神戸 俊之
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-081184
公開番号（公開出願番号）：特開2002-250905
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】【課題】 特定の環境下において電極に電圧を印加しても、電極の劣化や短絡を生じにくくし、信頼性の向上及び長寿命化を図れるようにした光導波路デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】 可変光減衰器100は、ニオブ酸リチウム(LN)基板11上に設けた2本の光導波路14aと14bの間に電極12が形成されており、この電極12に印加する電圧に応じて電界が生じ、屈折率が変化する。電極12は、LN基板11上の所定位置に設けられると共に酸化物を含んだITO薄膜31と、このITO薄膜31上に設けられると共に酸化物が酸性を示すクロム薄膜32とを備えて構成されている。ITO薄膜31とクロム薄膜32は、共に酸化物が酸性を示すためにイオン流出は生じない。よって、電極劣化が生じなくなることで、電極短絡は発生しない。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板内に設けられた少なくとも1本の光導波路と、前記基板上の前記光導波路の近傍又は上部に設けられると共に酸化物を含んだ導電性の第1の薄膜層と、前記第1の薄膜層に積層され、酸化された状態で酸性又は中性を示すと共に導電性の第2の薄膜層を備えることを特徴とする光導波路デバイス。

IPC (4件)：

G02F 1/035 ,  G02B 6/12 ,  G02B 6/13 ,  G02F 1/313

FI (4件)：

G02F 1/035 ,  G02F 1/313 ,  G02B 6/12 J ,  G02B 6/12 M

Fターム (24件)：

2H047KA04 ,  2H047NA02 ,  2H047PA21 ,  2H047PA24 ,  2H047QA01 ,  2H047QA03 ,  2H047TA11 ,  2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079BA01 ,  2H079CA05 ,  2H079DA03 ,  2H079DA26 ,  2H079EA04 ,  2H079EB05 ,  2H079HA25 ,  2K002AA02 ,  2K002AB04 ,  2K002BA06 ,  2K002CA03 ,  2K002CA30 ,  2K002DA07 ,  2K002GA05 ,  2K002HA02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭55-069122
  
• 光導波路素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-209490   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭55-069122