特許
J-GLOBAL ID：200903038316478673
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-298168
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109266
出願日： 1991年10月17日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】 データの転送レートを高速化する。【構成】 ロウアドレス信号A8 ,A9 ,A10により、メモリセルアレイM1 ,M2 ...M8 を選択する信号を出力するアレイ選択デコーダASD と、メモリセルアレイM1 ,M2 ...M8 のメモリセルを選択するロウアドレス信号をラッチするアドレスラッチAL1 , AL2 ...AL8 とを備える。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルアレイのメモリセルを、ロウアドレス信号により選択するようにしている半導体記憶装置において、前記ロウアドレス信号により、前記メモリセルアレイを選択する選択信号を出力するアレイ選択デコーダと、メモリセルアレイのメモリセルを選択するロウアドレスアドレス信号をラッチするアドレスラッチとを備え、前記選択信号によりメモリセルアレイを選択して、選択したメモリセルアレイが動作しているときに、他のメモリセルアレイを選択して動作させる構成にしてあることを特徴とする半導体記憶装置。
引用特許：
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