特許

J-GLOBAL ID：200903038318914829

冷陰極及びその冷陰極の製造方法

発明者： 大木 博 ,  常定 紀基 ,  浦山 雅夫
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-018242
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210221
出願日： 2000年01月27日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】 信頼性の高い、XYマトリクス可能な電子源を有する冷陰極を提供すると共に、このような冷陰極を低コスト、簡便に製造する。【解決手段】 本願の冷陰極は、ゲート絶縁層を第1のゲート絶縁層、第2のゲート絶縁層で構成し、第1のゲート絶縁層は細孔を有し、細孔には電子源を配設し、電子源は高抵抗層に対して並列に接続される。好ましくは、ゲート絶縁層に細孔を設けた鋳型構造をアルミナ陽極酸化皮膜、鋳型構造に形成する電子源をカーボンナノチューブで構成する。

請求項（抜粋）：

電子源と、前記電子源と電気的に接続されたカソード電極と、ゲート電極と、前記電子源と前記ゲート電極とを電気的に絶縁するためのゲート絶縁層とから構成される冷陰極において、前記ゲート絶縁層が第1のゲート絶縁層と第2のゲート絶縁層とで構成され、前記第1のゲート絶縁層が電子放出領域を形成し、前記第2のゲート絶縁層が前記カソード電極とゲート電極との絶縁層を形成することを特徴とする冷陰極。

IPC (4件)：

H01J 1/304 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12

FI (4件)：

H01J 9/02 B ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  H01J 1/30 F

Fターム (5件)：

5C031DD09 ,  5C036EF01 ,  5C036EG02 ,  5C036EG12 ,  5C036EH04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電子放出素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-015629   出願人：株式会社リコー
• 電界放出カソード素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-299106   出願人：双葉電子工業株式会社