半導体装置の絶縁膜の形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-064721
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260372
出願日： 1996年03月21日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】CVD法によりシリコン窒化膜を形成するとき、原料ガスに含まれる水素が膜中に導入されることにより欠陥が発生してリーク電流を生じ易いこと、このためシリコン窒化膜を半導体基板上のメモリキャパシタの絶縁膜とするとき、信頼性低下の原因となることを防止する方法を提供して、シリコン窒化膜の絶縁特性を向上させる。【解決手段】CVD法でシリコン窒化膜を形成し、引き続きCVDチャンバー中で高温熱処理を行って、シリコン窒化膜の形成中にシリコン窒化膜に導入された水素ガスを外部に放出し、シリコン窒化膜を低水素化することにより、信頼性の高いキャパシタ用絶縁膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

CVD法によりシリコン窒化膜を形成する工程と、前記シリコン窒化膜形成後熱処理することによりシリコン窒化膜に含まれる水素含有量を低減する工程とを有することを特徴とするとする半導体装置の絶縁膜の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/318 , H01L 21/324 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/318 B , H01L 21/324 Z , H01L 27/04 C , H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平2-186632
特開平1-169932
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-071928 出願人：川崎製鉄株式会社

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