特許
J-GLOBAL ID：200903038367529868

研磨方法、研磨装置および半導体集積回路装置の製造方法

発明者：
伊藤 秀文

伊藤 秀文 について

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平澤 茂樹

平澤 茂樹 について

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小西 信博

小西 信博 について

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田熊 祐一郎

田熊 祐一郎 について

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三谷 真一郎

三谷 真一郎 について

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木村 剛

木村 剛 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-054672
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256202
出願日： 1997年03月10日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 CMP研磨技術を用いた研磨処理に際して、被研磨物の面内の研磨均一性を向上させる。【解決手段】 ウエハキャリア8のフィルム8fにバックパッドを介して保持された半導体ウエハ2の被研磨面を、ウエハキャリア8に備えられた流体加圧機構部によって研磨パッド5に押し付けた状態で化学的および機械的に研磨する際に、半導体ウエハ2の面内における加圧分布が全体的に均一となるようにフィルム8fの外周の撓み部分の変形状態を設定して研磨処理を行う。
請求項（抜粋）：
被研磨物保持部の低剛性薄板にバックパッドを介して保持された被研磨物の被研磨面を、前記被研磨保持部に備えられた流体加圧機構部によって研磨パッドに押し付けた状態で化学的および機械的に研磨する研磨方法であって、前記研磨処理に際して、前記被研磨物の面内における加圧分布が全体的に均一となるように、前記低剛性薄板の外周の撓み部分の変形状態を設定して研磨処理を行うことを特徴とする研磨方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321 ,  B24B 1/00 ,  B24B 37/00
FI (3件)：
H01L 21/304 321 M ,  B24B 1/00 A ,  B24B 37/00 B
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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