特許

J-GLOBAL ID：200903038370910190

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者： 神田 博美
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (4件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-045779
公開番号（公開出願番号）：特開2006-234938
出願日： 2005年02月22日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：

【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにはその他のフォトアプリケーションのリソグラフィー工程に使用されるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法に関するものであり、DOFが改善され、且つ液浸露光時の、レジスト膜表面から液浸液への発生酸の溶出が低減されたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】ラクトン構造を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を含有するポジ型レジスト組成物に於いて、該樹脂が、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する構造を有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ラクトン構造を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を含有するポジ型レジスト組成物に於いて、該樹脂が、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する構造を有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/039 ,  C08F 222/10 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F7/039 601 ,  C08F222/10 ,  G03F7/033 ,  H01L21/30 502R

Fターム (29件)：

2H025AA00 ,  2H025AA02 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA02P ,  4J100BA15P ,  4J100BA50P ,  4J100BA58P ,  4J100BB07P ,  4J100BB18P ,  4J100BC07Q ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12Q ,  4J100BC43P ,  4J100BC53R ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭63-49893号公報
  
• WO2004/068242A1
  
• 液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、複合膜、およびレジストパターン形成方法
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2004001956   出願人：東京応化工業株式会社