特許
J-GLOBAL ID：200903038371058411
半導体装置の製造方法および半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-262175
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085333
出願日： 1999年09月16日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 HTO膜の膜厚を全体に均一に形成する。【解決手段】 二枚葉式CVD装置1を使用してHTO膜をウエハ4上に形成する成膜方法において、ウエハ4を保持する保持治具40にウエハ4と対向する部位に大表面積面部62を有した均一化プレート60をウエハ4を保持した保持プレート50と平行に配設する。原料ガスがプロセスチューブ2に流されると、成膜種はウエハ4ばかりでなく大表面積面部62にも堆積して行く。【効果】 成膜種が大表面積面部に堆積することにより、成膜種のうちウエハの中央部に余分に堆積する分が消費されることになるため、ウエハの中央部が周辺部よりも厚くなる傾向が抑制され、相対的に、ウエハに形成されるHTO膜の膜厚は全体的に均一になる。
請求項（抜粋）：
水平に保持された被処理物の被処理面と平行な方向に原料ガスが流されて被処理面に膜が形成される半導体装置の製造方法において、前記被処理面と対向する位置に前記被処理面よりも表面積の大きい大表面積面部が配置されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (8件)：
5F045AA06
, 5F045AB32
, 5F045AC01
, 5F045AC05
, 5F045AF03
, 5F045BB02
, 5F045DP11
, 5F045EM09
