プラズマ処理方法及び装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-044359
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243707
出願日： 1999年02月23日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】均一なプラズマを発生させることができるプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】プラズマトラップ9が設けられている真空容器1内に、ガス供給装置2から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのポンプ3により排気を行い、真空容器1内を所定の圧力に保ちながら、対向電極用高周波電源4により100MHzの高周波電力を対向電極5に供給することにより、真空容器1内に均一なプラズマが発生し、基板電極6上に載置された基板7に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処理を均一に処理することが可能である。

請求項（抜粋）：

真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた対向電極に、周波数50MHz乃至3GHzの高周波電力を印加することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、基板に対向して設けられた環状でかつ溝状のプラズマトラップによって、基板上のプラズマ分布が制御された状態で基板を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , C23C 14/34 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/3065

FI (5件)：

H01L 21/205 , C23C 14/34 R , C23C 16/50 B , C23F 4/00 Z , H01L 21/302 B

Fターム (33件)：

4K029CA05 , 4K029CA13 , 4K029DC32 , 4K029DC35 , 4K029FA05 , 4K029GA02 , 4K030CA12 , 4K030DA04 , 4K030FA03 , 4K030KA20 , 4K057DA16 , 4K057DD01 , 4K057DM02 , 4K057DM06 , 4K057DM07 , 4K057DM18 , 5F004AA01 , 5F004BA06 , 5F004BA20 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BC08 , 5F004CA01 , 5F004CA09 , 5F045AA08 , 5F045BB02 , 5F045DP04 , 5F045EH02 , 5F045EH03 , 5F045EH04 , 5F045EH14 , 5F045EH19 , 5F045EH20

引用特許：

審査官引用 (13件)

プラズマ処理方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-347326 出願人：セイコーエプソン株式会社
プラズマ生成装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法、半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-304061 出願人：株式会社日立製作所
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-199307 出願人：住友金属工業株式会社

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