パターン修正方法及びパターン修正装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩壁冬樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-320107
公開番号（公開出願番号）：特開2002-131888
出願日： 2000年10月19日
公開日（公表日）： 2002年05月09日
要約：

【要約】【課題】従来び白欠陥の修正方法では、レーザCVD時に生成した微粒子がCVDの核となり膜が形成され、レーザ光の照射形状の外側に膜のエッジが膨らんでしまう。【解決手段】保持手段で基板の加工面を下向きに保持し、基板の下方から基板の加工面に対してレーザ光を照射するとともに、ガス供給手段から供給されるガスをガス導入手段を通じて基板のレーザ照射部に吹き付けて、基板上に膜を形成し、基板上のパターン膜の白欠陥を修正する。

請求項（抜粋）：

保持手段で基板の加工面を下向きに保持し、前記基板の下方から前記基板の加工面に対してレーザ光を照射するとともに、ガス供給手段から供給されるガスをガス導入手段を通じて前記基板のレーザ照射部に吹き付けて、前記基板上に膜を形成し、前記基板上のパターン膜の白欠陥を修正することを特徴とするパターン修正方法。

IPC (5件)：

G03F 1/08 , C23C 16/44 , G02F 1/13 101 , G03F 7/40 511 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 1/08 W , G03F 1/08 V , C23C 16/44 A , G02F 1/13 101 , G03F 7/40 511 , H01L 21/30 502 P

Fターム (24件)：

2H088EA67 , 2H088FA06 , 2H088FA11 , 2H088FA15 , 2H088MA20 , 2H095BB25 , 2H095BD32 , 2H095BD33 , 2H095BD34 , 2H096AA25 , 2H096HA05 , 4K030AA12 , 4K030AA16 , 4K030BA06 , 4K030CA04 , 4K030EA01 , 4K030EA03 , 4K030FA07 , 4K030HA16 , 4K030KA36 , 4K030KA37 , 4K030KA41 , 4K030LA17 , 4K030LA18

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭63-036249
特開昭61-279690
位相シフトマスクおよびその修正方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-195770 出願人：富士通株式会社

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