特許
J-GLOBAL ID:200903038384443802

ビルドアップ多層配線基板及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 渥美 久彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-430229
公開番号(公開出願番号):特開2005-191245
出願日: 2003年12月25日
公開日(公表日): 2005年07月14日
要約:
【課題】 コア基板の表層部にデラミネーションが発生しにくく、信頼性に優れたビルドアップ多層配線基板を提供する。【解決手段】 ビルドアップ多層配線基板7は、コア基板である低温焼成セラミック基板1とビルドアップ層2とアンカー部61とを備える。低温焼成セラミック基板1は、チップ実装面18(第1主面)及びボールグリッド接合面19(第2主面)を有する。ビルドアップ層2は、導体層41,42及び樹脂絶縁層21,22を交互に積層した構造を有し、チップ実装面18の表面上に形成されている。アンカー部61は、ビルドアップ層2の外縁部6から突出して低温焼成セラミック基板1の内部に及んでいる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
第1主面及び第2主面を有するコア基板と、 導体層及び樹脂絶縁層を交互に積層した構造を有し、前記第1主面及び前記第2主面のうちの少なくともいずれかの表面上に形成されたビルドアップ層と、 前記ビルドアップ層の外縁部から突出して前記コア基板の内部に及ぶアンカー部と を備えたことを特徴とするビルドアップ多層配線基板。
IPC (1件):
H05K3/46
FI (2件):
H05K3/46 B ,  H05K3/46 X
Fターム (8件):
5E346AA26 ,  5E346CC08 ,  5E346CC18 ,  5E346GG08 ,  5E346GG15 ,  5E346GG28 ,  5E346HH11 ,  5E346HH33
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 配線基板
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-343105   出願人:日本特殊陶業株式会社

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