特許
J-GLOBAL ID:200903038388073449
トランジスタ製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴木 晴敏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-351647
公開番号(公開出願番号):特開平6-177142
出願日: 1992年12月08日
公開日(公表日): 1994年06月24日
要約:
【要約】【目的】 トランジスタのディプレッションを改善する。【構成】 真空チャンバ1の内部にガス導入口3を介して酸素が導入される。一対の電極板4,5の間に高周波が印加され酸素イオン及び/又は酸素活性種を含むプラズマ8が発生する。下側の電極板5の表面にはトランジスタの形成された基板9が載置されており、酸素イオン及び/又は酸素活性種を含む雰囲気中でアニールする。これにより、基板9の上に形成されたトランジスタのディプレッションを改善できる。
請求項(抜粋):
酸素を含む気体のプラズマ放電によって生成した酸素イオン及び/又は酸素活性種を含む雰囲気中でアニールする事を特徴とするトランジスタ製造方法。
引用特許:
審査官引用 (10件)
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特開平4-299566
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特開平4-282841
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特開平3-041731
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特開平1-095575
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特開平4-144129
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特開平2-091937
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特開昭59-046748
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特開平1-120070
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特開昭60-136259
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薄膜トランジスタの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-242992
出願人:現代電子産業株式会社
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