特許

J-GLOBAL ID：200903038393726191

半導体基板および半導体発光素子

発明者： 岩田 浩和
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-056109
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238687
出願日： 1998年02月20日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：

【要約】【課題】 結晶欠陥や歪みなどが少なく、結晶品質が安定しており、作製工程が容易で歩留りの良好な高性能のGaN系化合物半導体から構成される半導体基板および半導体発光素子を提供する。【解決手段】 単結晶基板11の表面に積層された選択成長の核発生層12となる結晶層上に、円形パターンの穴が周期的に配置されている選択成長用マスク13が積層され、該選択成長用マスクの円形パターンの穴を通して、GaN系化合物半導体層15が選択成長されて形成されている。

請求項（抜粋）：

単結晶基板表面上に、あるいは、単結晶基板表面に積層された選択成長の核発生層となる結晶層上に、円形パターンの穴が周期的に配置されている選択成長用マスクが積層され、該選択成長用マスクの円形パターンの穴を通して、GaN系化合物半導体層が選択成長されて形成されていることを特徴とする半導体基板。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-062760   出願人：日本電気株式会社
• 半導体微小構造体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-054585   出願人：日本電信電話株式会社