特許
J-GLOBAL ID:200903038394872051
過フッ化アミド塩及びイオン伝導物質としてのその使用方法
発明者:
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出願人/特許権者:
,
代理人 (5件):
社本 一夫
, 今井 庄亮
, 増井 忠弐
, 小林 泰
, 江尻 ひろ子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-120239
公開番号(公開出願番号):特開2009-242401
出願日: 2009年05月18日
公開日(公表日): 2009年10月22日
要約:
【課題】イオン伝導物質として働くイオン化合物を提供する。【解決手段】このイオン化合物においては、アニオン性の装填物が非局在化されている。化合物は、アミド又はその塩の一つを含んでおり、該アミド又は塩は、少なくとも1つのカチオン部分M+mと結合されたアニオン部分を全体的な電子的な中性を確保するに十分な数だけ含んでいる。化合物は、更に、ヒドロキソニウムとしてのM、ニトロソニウムNO+、アンモニウム-NH4+、イオン化mを有する金属カチオン、イオン化mを有する有機金属カチオン、あるいは、イオン化mを有する有機金属カチオンを含んでいる。アニオン部分は、組成式RF-SOx-N-Zに一致し、RFは、過フッ化基であり、xは、1又は2であり、Zは、電子吸引性の置換基である。化合物は、イオン伝導物質、電子伝導物質、着色剤、及び、種々の化学反応の触媒として使用することができる。【選択図】なし
請求項(抜粋):
溶媒中に溶解したイオン化合物を含むイオン伝導物質であって、前記イオン化合物が、電子的な中性を与えるに十分な数の少なくとも1つのカチオン部分Mm+に関連するアニオン部分を含むアミド又はその塩から成り、Mm+は、ヒドロキソニウム(hydroxonium)、ニトロソニウムNO+、アンモニウム-NH4+、イオン価mを有する金属カチオン、イオン価mを有する有機カチオン、又は、イオン価mを有する有機金属カチオンであり、前記アニオン部分は、式RF-SOx-N-Zに対応し、
前記基-SOx-は、スルホニル基-SO2-又はスルフィニル基-SO-を表し、
RFは、ハロゲン、又は1〜12個の炭素原子を有する過ハロゲン化アルキル基、又は1〜12個の炭素原子を有する過ハロゲン化アルキルアリール基であり、
Zは、フェニル遊離基のハメット(Hammett)パラメータに少なくとも等しいハメットパラメータを有する電子吸引遊離基を表し、
前記電子吸引遊離基は、以下の遊離基:
j)-CN、-NO2、-SCN、-N3、-CF3、R’FCH2-(R’Fは、過フッ化遊離基であり、好ましくはCF3-である)、フルオロアルキルオキシ遊離基、フルオロアルキルチオキシ遊離基;
jj)窒素、酸素、硫黄又はリンの原子を少なくとも一つ含む1又は複数の芳香核を含む遊離基(前記核は、縮合核であるか及び/又は前記核は、少なくとも1つの置換基を有し、該置換基は、ハロゲン、-CN、-NO2、-SCN、-N3、-CF3、CF3CH2-、CF2=CF-O-、CF2=CF-S-、過フルオロアルキル基、フルオロアルキルオキシ基、フルオロアルキルチオキシ基、アルキル、アルケニル、オキサ-アルキル、オキサ-アルケニル、アザ-アルキル、アザ-アルケニル、チア-アルキル、チア-アルケニル遊離基、ポリマー遊離基、少なくとも1つのカチオン選択性基及び/又は少なくとも1つのアニオン選択性基から成る群から選択される)
から選択され、
但し、置換基Zは、一価遊離基、複数の基RF-SOx-N-を有する多価遊離基、あるいは、ポリマーセグメントとすることができる、前記イオン伝導物質。
IPC (39件):
C07C 311/09
, C07C 311/11
, C07C 311/15
, C07F 7/18
, C07C 311/29
, C07C 311/24
, C07C 311/28
, C07F 15/00
, C07F 15/04
, C07F 17/02
, C09K 3/00
, C07D 307/64
, C07D 303/34
, C07D 407/04
, C07D 207/452
, C07D 285/125
, C07D 219/10
, C07D 311/82
, C07D 487/22
, C07D 213/76
, C07D 241/46
, C07D 277/82
, C07D 333/16
, C08L 71/00
, C08L 75/04
, C08K 5/00
, C08F 12/30
, C08F 12/04
, C08F 14/20
, C08G 61/12
, C08G 77/392
, H01M 10/36
, H01M 4/40
, H01M 4/58
, H01M 4/48
, H01M 4/50
, H01M 4/60
, H01M 4/66
, H01G 9/058
FI (43件):
C07C311/09
, C07C311/11
, C07C311/15
, C07F7/18 Q
, C07C311/29
, C07C311/24
, C07C311/28
, C07F15/00 C
, C07F15/04
, C07F17/02
, C09K3/00 Z
, C07D307/64
, C07D303/34
, C07D407/04
, C07D207/452
, C07D285/12 D
, C07D219/10
, C07D311/82
, C07D487/22
, C07D213/76
, C07D241/46
, C07D277/82
, C07D333/16
, C08L71/00 Z
, C08L75/04
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, C08F12/30
, C08F12/04
, C08F14/20
, C08G61/12
, C08G77/392
, H01M10/00 113
, H01M10/00 110
, H01M10/00 102
, H01M4/40
, H01M4/58 101
, H01M4/48 102
, H01M4/58 103
, H01M4/50 102
, H01M4/60
, H01M4/48 101
, H01M4/66 A
, H01G9/00 301A
Fターム (139件):
4C023BA05
, 4C033AE03
, 4C033AE05
, 4C033AE13
, 4C033AE17
, 4C034BD18
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, 4C048AA01
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引用特許:
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