特許
J-GLOBAL ID：200903038398196735
半導体集積回路装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-290428
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130272
出願日： 1994年10月31日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：
【要約】【目的】 パッケージ基板内に搭載した半導体素子の放熱性及びシールド効果を確保する一方で、製造工程数を増大することなく、しかも低コストに製造することを可能とする。【構成】 複数の配線層2を有する多層配線構造をしたパッケージ基板1に半導体素子4を搭載し、端面電極8に対して電気接続し、封止樹脂7で封止する。配線層2の一部をパッケージ基板1の略全面にわたって形成して放熱・シールド層2bとして構成し、これを接地電極8gに接続することで、半導体素子4に発生した熱を放熱・シールド層2bで拡散させながら放熱させて放熱効果を高め、かつ半導体素子4を電磁気的にシールドしてEMI効果を得る。
請求項（抜粋）：
複数の配線層を有する多層配線構造のパッケージ基板と、このパッケージ基板に搭載された半導体素子と、前記パッケージ基板の外面に設けられた実装用の電極とを備える半導体集積回路装置において、前記パッケージ基板の少なくとも一つの配線層を放熱・シールド層としてパッケージ基板の略全面にわたって形成したことを特徴とする半導体集積回路装置。
FI (3件)：
H01L 23/12 J
, H01L 23/12 L
, H01L 23/12 E
