特許

J-GLOBAL ID：200903038415737311

炭化珪素質複合材及びその製造方法

発明者： 山田 益三 ,  谷野 吉弥 ,  阿久根 安博 ,  大西 誠次
出願人/特許権者： 日本ピラー工業株式会社
代理人 (1件)： 杉本 丈夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-170967
公開番号（公開出願番号）：特開平9-020575
出願日： 1995年07月06日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：

【要約】【課題】 高温条件下においても不純物の蒸発による雰囲気汚染を生じず、半導体拡散炉用反応管等として好適に使用することができる炭化珪素質複合材及びこれを好適に製造できる方法を提供する。【解決手段】 炭化珪素焼結体である多孔質の基体とその表面に化学蒸着された炭化珪素膜とからなる炭化珪素質複合材において、炭化珪素膜のスペクトル吸収端が550nm以下となるようにする。その成膜は、基体を配置したCVD炉内に所定の反応ガスを供給させることによって行うが、基体表面に炭化珪素膜を化学蒸着させる場合においては、CVD炉から常時排気を行って、CVD内を減圧雰囲気に保持させると共に、上記基体表面ないしその周辺に排気流を生じさせるようにしておく。

請求項（抜粋）：

炭化珪素焼結体である多孔質の基体とその表面に化学蒸着された炭化珪素膜とからなる炭化珪素質複合材において、炭化珪素膜を、そのスペクトル吸収端が550nm以下となるものとしたことを特徴とする炭化珪素質複合材。

IPC (6件)：

C04B 38/00 303 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/32 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/44 ,  C30B 25/10

FI (6件)：

C04B 38/00 303 Z ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/32 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/44 H ,  C30B 25/10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体製造用治具のための炭化珪素質基材の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-129511   出願人：イビデン株式会社