半導体レーザー

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-221422
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068241
出願日： 1997年08月18日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】半導体レーザーにおいて、高光出力特性でシングルモード光を出力する。【解決手段】 1×1マルチモード干渉型(1×1-MMI)光導波路であるマルチモード導波路領域1と、その両端部に接続されている1対のシングルモード導波路領域2、3とからなる光導波路構造が設けられている。マルチモード導波路領域1は、長さが280μm程度で導波路幅W1が10μmであり、シングルモード導波路領域2、3は、それぞれ長さが50μm程度で導波路幅W2が2μmである。1×1-MMI光導波路を用いることによりシングルモード光出力が可能であるとともに、導波路幅が広いため高出力が得られる。

請求項（抜粋）：