特許

J-GLOBAL ID：200903038420691435

ヘテロ接合太陽電池

発明者： 山田 昭政 ,  仁木 栄 ,  松原 浩司 ,  櫻井 啓一郎 ,  ポール フォンス ,  岩田 拡也
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-343846
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109360
出願日： 2003年10月01日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【課題】 CIGS太陽電池において、光吸収層(p型CIGS)と背面電極層との接触の最適化により開放電圧VOCの増大を図り変換効率を向上させる。【解決手段】 基板11上に調整背面電極層12を形成し、その上に光吸収層13、バッファ層14、窓層15、透明電極層16および反射防止層17を順次積層する。そして調整背面電極層12と透明電極層16とに、それぞれ光電変換電流を取り出すための陽極端子18、陰極端子19を形成する。ここで、調整背面電極層12は、少なくとも光吸収層13と接触する部位の材料が、その仕事関数が光吸収層材料のフェルミエネルギーに等しいかそれより大きいものに選定されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

光入射側に透明電極層が、その反対側に高導電率電極層がそれぞれ配置され、前記透明電極層と前記高導電率電極層との間の前記高導電率電極層側に第1導電型の光吸収層が、その前記透明電極層側に第2導電型の窓層が配置されているヘテロ接合太陽電池において、前記高導電率電極層の少なくとも光吸収層に接する部位の材料の仕事関数が光吸収層材料のフェルミエネルギーに等しいかそれより大きいことを特徴とするヘテロ接合太陽電池。

IPC (1件)：

H01L31/04

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (7件)：

5F051AA09 ,  5F051AA10 ,  5F051DA03 ,  5F051DA20 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051HA03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光起電力装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-356214   出願人：株式会社リコー
• 化合物半導体太陽電池及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-367687   出願人：新光電気工業株式会社